특허명 | 나노소재를 이용한 기체 센서 및 그 제조방법 | ||
출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2006년 12월 30일 |
공개일 | 2008년 7월 3일 | 공고일 | 2010년 6월 8일 |
요약 |
나노소재를 이용한 기체 센서 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따른 나노소재를 이용한 기체 센서는 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막이 차례로 증착되어 있는 반도체 기판과; 상기 실리콘 질화막 상에 형성된 복수개의 IDE 패턴 형태의 히터 어레이로 이루어진 히터전극과; 상기 히터전극 상에 형성되며, 전극 단자부 이외의 부분에 적층되어 있는 절연층과; 상기 절연층 상에 형성된 복수개의 IDE 패턴 형태의 센서 어레이로 이루어진 센서전극과; 상기 센서전극 상에 형성되며, 나노튜브 또는 나노선이 상기 센서전극과 전기적으로 접촉하도록 분산되어 있는 감지부; 및 상기 감지부 및 전극 단자부 이외의 부분에 적층되어 있는 상부 보호층을 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 기체 센서는 하나의 센서로서 다양한 오염 기체를 고감도로 감지할 수 있고, 성능의 재현성이 우수하다.
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특허명 | 출원일 | ||
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