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초점 전자빔을 이용한 전도성 고분자 나노 구조체의 물성 변화 장치, 물성 변화 방법 및 그 방법으로 제조된 직렬 접합형 고분자 나노선
| 특허명 | 초점 전자빔을 이용한 전도성 고분자 나노 구조체의 물성 변화 장치, 물성 변화 방법 및 그 방법으로 제조된 직렬 접합형 고분자 나노선 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2011년 4월 25일 |
| 공개일 | 2012년 11월 2일 | 공고일 | 2013년 6월 4일 |
| 요약 |
본 발명의 일 실시예에 의하면, 전자빔을 정밀 제어하여 전도성 고분자 나노 구조체의 일부에 대해 구조적 특성, 도핑 상태 및 전기적 특성을 변경할 수 있는 효과가 있다. 이를 위해 특히, 본 발명의 일 실시예는 전도성 고분자 나노 구조체; 전도성 고분자 나노 구조체에 초점이 맺히도록 나노 규모 전자빔을 조사하는 초점 전자빔 조사부; 및 전도성 고분자 나노 구조체의 물성을 부분적으로 변화시키기 위해 나노 규모 전자빔의 조사 위치를 제어하는 초점 전자빔 제어부;를 포함하는 초점 전자빔을 이용한 전도성 고분자 나노 구조체의 물성 변화 장치를 포함한다.
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| 특허명 | 출원일 | ||
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