특허명 | 신호 누설을 활용한 테라헤르츠 대역 위상 변화 장치 및 이를 이용한 빔포밍 시스템 | ||
출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2011년 6월 28일 |
공개일 | 2013년 1월 7일 | 공고일 | 2013년 5월 30일 |
요약 |
테라헤르츠 대역 위상 변화 장치에 관한 기술이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 테라헤르츠 대역 위상 변화 장치는, 입력신호의 주파수 대역에서 신호의 누설이 발생하는 상태로 동작하는 MOSFET 소자를 이용하여 상기 MOSFET 소자를 통과하는 상기 입력신호의 위상을 변화킴으로써, 시스템 설계 및 제조의 용이성과 전력 효율을 개선함은 물론 초고주파 대역에서 발생하는 신호 누설 및 삽입손실 문제를 해결할 수 있다.
|
특허명 | 출원일 | ||
---|---|---|---|
단일 길버트셀을 이용한 위상 변화기 | 2013년 4월 19일 | ||
저항 변화 물질을 이용한 비휘발성 박막 트랜지스터 메모리 소자 및 그 제조 방법 | 2017년 4월 26일 | ||
굴곡이 형성된 반사층을 포함하는 발광소자 및 그 제조방법 | 2008년 5월 20일 | ||
뇌 영역 간 연결 강도에 기초하는 뇌-컴퓨터 인터페이스 성능 예측 장치 및 방법 | 2020년 2월 14일 | ||
금속 산화물 지지체 및 상기 지지체에 고정된 귀금속 나노입자를 포함하는 수열 처리된 일산화탄소 산화용 촉매, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 배기가스 정화 장치 | 2017년 11월 29일 |