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p-n-p-n 다이오드를 이용한 무전원의 뉴런 모방 회로
| 특허명 | p-n-p-n 다이오드를 이용한 무전원의 뉴런 모방 회로 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2019년 11월 14일 |
| 공개일 | 2021년 5월 24일 | 공고일 | - |
| 요약 |
본 발명은 적은 면적과 낮은 전력 소비를 위해 p-n-p-n 다이오드를 사용하는 새로운 축적 및 발화 뉴런 모방 회로(integrate-and-fire (IF) neuron circuit)에 관한 것으로서, 일실시예에 따른 뉴런 모방 회로는 커패시터를 통해 시냅스로부터 입력되는 전류를 충전하여 포텐셜(potential)을 생성하고, 상기 생성되는 포텐셜이 임계값을 초과하면, 상기 커패시터에 연결된 p-n-p-n 다이오드를 이용해서, 상기 생성되는 포텐셜에 상응하는 스파이크 전압을 생성하여 출력할 수 있다.
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| 특허명 | 출원일 | ||
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