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반도체 장치
| 특허명 | 반도체 장치 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단|에스케이하이닉스 주식회사 | 출원일 | 2011년 11월 29일 |
| 공개일 | 2013년 6월 7일 | 공고일 | 2018년 6월 22일 |
| 요약 |
본 기술에 따른 반도체 장치는 인에이블 신호 및 전원전압을 입력받고, 상기 인에이블 신호에 따라 제 1 전압 또는 제 2 전압을 생성하며, 레벨 신호에 따라 상기 제 2 전압의 전압 레벨을 변경하며, 상기 제 1 전압 또는 상기 제 2 전압을 제 1 입력신호를 수신하여 제 2 입력신호를 출력하는 내부회로의 구동전압으로서 공급하는 전원 변경부를 포함한다.
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
| 다중 위상을 갖는 3-레벨 DC-DC 컨버터 | 2018년 11월 29일 | ||
| 반도체 집적 회로 및 클럭 동기화 방법 | 2013년 7월 16일 | ||
| 미세전류 발생을 이용한 세포 배양 장치 | 2010년 12월 13일 | ||
| 반도체 집적 회로 | 2007년 11월 13일 | ||
| 고주파 신호 생성을 위한 발진기 | 2014년 9월 11일 | ||
